规格：晶体管封装类型 TO-220AB,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 95 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 3.7 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 13A
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 28A
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -120 V, 4 MHz, 40 W, 4 A, 150 hFE
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 85A TO-220AB
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 10.5A, TO220AB-3
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.75 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 28 A, 2.2 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 4 V
(EN)
