规格：晶体管极性 N沟道,
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 115 A, 2.6 V, 460 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 3 V, 625 W, 1.2 kV, Module
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 173 mA, 50 V, 2.8 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 250 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, -1.4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 500 V, 3.1 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
