
DIODES INC.
双极晶体管阵列, 双路, NPN, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363

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晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 0.096 ohm, -10 V, -1 V

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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 11 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

DIODES INC.
单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 3.3 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C

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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV

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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5.4 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V

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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 28 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -1 V

DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -1.7 A, -60 V, 0.39 ohm, -10 V, -1 V

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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV

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双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.7 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV