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DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 2.4 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
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单晶体管 双极, PNP, -70 V, 200 MHz, 625 mW, -1.5 A, 300 hFE
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 6 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 3.1 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, -1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 11.6 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.5 V
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 18 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.9 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 450 mV
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 24 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 60 mA, 200 V, 25 ohm, 10 V, 1 V
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双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 500 mV
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双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -4.6 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV
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双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 8.6 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0134 ohm, 10 V, 1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 11.6 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.5 V
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双极晶体管阵列, 双路, NPN, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363
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