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铝电解电容, 摁入式, 22000 μF, 16 V, ELG 系列, 2000 hours @ 105°C, ± 20%, 快速连接、卡入式

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钽电容, 220uF, 10V

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表面贴装钽电容, AEC-Q200 T499系列, 10 μF, ± 10%, 50 V, 2917 [7343 公制], D

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0603 [1608 公制], 910 pF, 50 V, ± 5%, C0G / NP0, C 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 22 pF, 200 V, ± 1%, C0G / NP0, C 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 4700 pF, 50 V, ± 10%, C0G / NP0, C 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, HV FT-CAP, 1206 [3216 公制], 0.01 μF, 630 V, ± 10%, X7R, X系列FT-CAP

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1210 [3225 公制], 0.01 μF, 630 V, ± 10%, X7R, AEC-Q200 C 系列

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电容阵列, AEC-Q200, 15000 pF, 100 V, AEC-Q200 X系列阵列, ± 10%, SMD, 4元件

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超级电容器, EDLC, 0.047 F, 5.5 V, 径向引线, FG 系列, +80%, -20%

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膜电容, AEC-Q200 LDE系列, 1 μF, ± 10%, PEN(聚邻苯二甲酸酯), 63 V, 2220 [5650公制]

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膜电容, 0.1 μF, 400 V, 真空镀铝的纸 (MP), ± 10%, PME261 系列

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钽电容, 33uF 10%容差 35V

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表面贴装钽电容, 47 μF, 20 V, T495 系列, ± 10%, 2917 [7343 公制]

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 静电防护, 0603 [1608 公制], 1000 pF, 200 V, ± 10%, X7R, AEC-Q200 ESD Rated 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0603 [1608 公制], 11 pF, 50 V, ± 5%, C0G / NP0, C 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0805 [2012 公制], 0.01 μF, 25 V, ± 10%, X7R, C 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0805 [2012 公制], 22 pF, 50 V, ± 10%, C0G / NP0, C 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0805 [2012 公制], 0.47 μF, 16 V, ± 10%, X7R, C 系列

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射频电容, 9.1 pF, 250 V, HiQ-CBR 系列, ± 0.1pF, 125 °C

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铁氧体磁芯, 螺旋, 9MM X 17MM

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膜电容, 0.033 μF, 1 kV, PP(聚丙烯), ± 5%, R75 系列

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表面贴装钽电容, 10 μF, 20 V, T495 系列, ± 10%, 2312 [6032 公制]

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膜电容, AEC-Q200 R82系列, 4.7 μF, ± 5%, PET(聚酯), 50 V

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0805 [2012 公制], 47 pF, 500 V, ± 5%, C0G / NP0, C 系列