KEMET

多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 150 pF, 2 kV, ± 5%, C0G / NP0, C 系列

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陶瓷电容, 0.1uF, 100V, X8R, 1210

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铝电解电容, 摁入式, 3300 μF, 63 V, ELH 系列, 2000 hours @ 85°C, ± 20%, 快速连接、卡入式

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, FT-CAP, 1812 [4532 公制], 0.047 μF, 100 V, ± 10%, X7R, X 系列

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多层陶瓷电容, X7R, 15UF, 50V, 2220

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电容阵列, 0.022 μF, 50 V, AEC-Q200 C系列, ± 10%, SMD, 4元件

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铝电解电容, 摁入式, 220 μF, 450 V, PEH532 系列, 1500 hours @ 105°C, ± 20%, 快速连接、卡入式

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Filter, Line, Common Mode, AC, 1.9 mH, SU 10VFC-R Series

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0805 [2012 公制], 2200 pF, 250 V, ± 5%, C0G / NP0, C 系列

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, HV FT-CAP, 1825 [4564 公制], 0.1 μF, 1 kV, ± 10%, X7R, X系列FT-CAP

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超级电容器, EDLC, 1 F, 5.5 V, 径向引线, FG 系列, +80%, -20%

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钽聚合物电容器, KO-CAP?, 22 μF, 10 V, T520 系列, ± 20%, A, 0.08 ohm

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电容阵列, 22 pF, 50 V, AEC-Q200 C系列, ± 5%, SMD, 4元件

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多层陶瓷电容, 0.1UF, 10V, X7R, 10%, 0805

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膜抑制电容器, 0.22 μF, 275 VAC, PME271M系列, ± 10%, 径向引线, X2

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电容阵列, 33 pF, 50 V, AEC-Q200 C系列, ± 5%, SMD, 4元件

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 开放模式设计 (FO-CAP), 0805 [2012 公制], 0.01 μF, 50 V, ± 10%, X7R, AEC-Q200 F系列FO-CAP

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膜电容, AEC-Q200 R82系列, 0.47 μF, ± 5%, PET(聚酯), 100 V

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 1 μF, 25 V, ± 10%, X7R, C 系列

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膜电容, 1 μF, 250 V, PEN(聚邻苯二甲酸酯), ± 10%, LDE 系列, 6054 [15014 公制]

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, FF-CAP, 0603 [1608 公制], 2200 pF, 50 V, ± 10%, X7R, Y 系列

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膜电容, AEC-Q200 LDE系列, 0.47 μF, ± 10%, PEN(聚邻苯二甲酸酯), 100 V, 2824 [7260公制]

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膜电容, AEC-Q200 R75系列, 0.1 μF, ± 5%, PP(聚丙烯), 1 kV

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表面贴装钽电容, AEC-Q200 T495系列, 10 μF, ± 10%, 25 V, 2312 [6032 公制], C

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多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1210 [3225 公制], 2200 pF, 500 V, ± 10%, X7R, C 系列