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晶体管, MOSFET, N沟道, 340 mA, 240 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V

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单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 900 mW, 500 mA, 160 hFE

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二极管 小信号, 单, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

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单晶体管 双极, PNP, 80 V, 145 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

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晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 28.1 A, 100 V, 30.8 mohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 4.4 mohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V

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小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 500 mA, 550 mV, 2 A, 125 °C

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晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V

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双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 300 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-666

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm

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单晶体管 双极, NPN, 30 V, 210 MHz, 500 mW, 3 A, 465 hFE

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齐纳二极管, 5.1V, 250mW, SOT-23-3

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率

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小信号肖特基二极管, 三独立式, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C

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单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 420 mW, -1 A, 100 hFE

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晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 80 V, 0.0113 ohm, 10 V, 1.7 V

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单管二极管 齐纳, 2.4 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, 2.4 V, 1.5 W, SOT-223, 5 %, 4 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, 30 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, 3.9 V, 300 mW, SOD-523, 5 %, 2 引脚, 150 °C

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单管二极管 齐纳, 33 V, 250 mW, SOT-23, 1 %, 3 引脚, 150 °C