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单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

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晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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单晶体管 双极, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm

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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V

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快速/超快功率二极管, 600 V, 20 A, 单, 1.55 V, 60 ns, 100 A

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二极管, 碳化硅肖特基, AEC-Q101 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220AC

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二极管, 碳化硅肖特基, 650V系列, 双共阴极, 650 V, 30 A, 23 nC, TO-247

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晶体管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 45 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.5 V

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二极管, 碳化硅肖特基, AEC-Q101 650V系列, 单, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-220AC

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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 100 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm

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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -500 mA, 1 kohm, 1 kohm