
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
小信号预偏晶体管

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm