产品分类：IGBT阵列和模块,规格：工作温度最高值 150°C,
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 30 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, i4-PAC
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 45 A, 1.55 V, 150 W, 600 V, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 650 V, Module
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晶体管, IGBT模块, SIP1
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 340 A, 1.95 V, 1.5 kW, 1.7 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 560 A, 1.55 V, 1.45 kW, 650 V, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module
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VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 66 A, 4.15 V, 330 W, 1.2 kV, EconoPACK
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晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 1.7 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1 kA, 2.55 V, 3.3 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 440 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.5 kA, 2.55 V, 17 kW, 3.3 kV, Module
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