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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

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晶体管, 射频, NPN, 12V, 140MHZ, SOT-89-3

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晶体管 双极-射频, NPN, 60 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 450 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率

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场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, SOT1118

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晶体管 双极-射频, PNP, -40 V, 325 MHz, 250 mW, -25 mA, 50 hFE

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晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

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晶体管 双极-射频, NPN, 50 V, 100 MHz, 200 mW, 150 mA, 390 hFE

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晶体管 双极-射频, PNP, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 475 hFE

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晶体管 双极-射频, NPN, 20 V, 275 MHz, 250 mW, 25 mA, 85 hFE

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晶体管 双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE

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晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 260 hFE

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晶体管 双极-射频, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 500 mA, 340 hFE

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晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 800 hFE

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晶体管 双极-射频, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 800 hFE

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晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE

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晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 150 MHz, 250 mW, -100 mA, 260 hFE

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晶体管 双极-射频, NPN, 20 V, 275 MHz, 250 mW, 25 mA, 85 hFE

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晶体管 双极-射频, NPN, 20 V, 450 MHz, 250 mW, 25 mA, 85 hFE