产品分类：晶体管,规格：工作温度最高值 125°C,
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 250 MHz, 200 mW, 700 mA, 200 hFE
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 100 mA
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
功率晶体管
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 130 mA
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 2.2 A
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 10 A, 600 V, 33 W, SDIP
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 130 A, 3.2 V, 660 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.7 V, 155 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 3.2 V, 3.9 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 四路NPN, 438 A, 1.45 V, 650 V, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 140 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)
