产品分类：晶体管,规格：功耗 Pd -,
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 4 A, SIP
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 100 mA
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
功率晶体管
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 130 mA
(EN)
SEMIKRON
晶体管模块, IGBT, 940mV, 121A, SEMITRANS2
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
单晶体管 双极, NPN, 36 V, 2.2 A
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 114 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 115 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 沟, N沟道, 830 A, 2 V, 1.7 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 四路NPN, 438 A, 1.45 V, 650 V, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
(EN)
