
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 30 V, 380 mohm, 10 V, 2.5 V

ROHM
单晶体管 双极, NPN, 32 V, 150 MHz, 200 mW, 800 mA, 120 hFE

ROHM
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 140 MHz, 200 mW, -150 mA, 120 hFE

ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE

ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 120 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2 A, 100 V, 0.24 ohm, 10 V, 2.5 V

ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm

ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V

ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V

ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V

ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 45 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V

ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 5.6 V

ROHM
功率场效应管, MOSFET, 碳化硅 (SiC), N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.47 电阻比率

ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 45 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.5 V

ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V

ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 1.5 V

ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -2.5 V

ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.5 V