产品分类：晶体管,品牌：ROHM,
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 20 V, 0.039 ohm, 4.5 V, 300 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -300 mV
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 120 V, 140 MHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -2 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 100 kohm, 100 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 100 kohm, 100 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
(EN)
