VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 25W, D-PAK
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 500 V, 49 mohm, 10 V, 5 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 300 mW, 2 A, 225 hFE
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 4 V
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -120 V, 140 MHz, 200 mW, -50 mA, 180 hFE
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 400 MHz, 200 mW, -1.5 A, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 18 V, 1.5 GHz, 200 mW, 20 mA, 56 hFE
单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 200 mW, 50 mA, 56 hFE
单晶体管 双极, NPN, 25 V, 300 MHz, 200 mW, 10 mA, 82 hFE
单晶体管 双极, NPN, 6 V, 800 MHz, 200 mW, 10 mA, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 200 MHz, 500 mW, 2 A, 120 hFE
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 330 MHz, 200 mW, 1 A, 270 hFE
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 50 mA, 820 hFE
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 200 mA, 20 V, 0.7 ohm, 4 V, 1 V
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, N通道, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
