VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V

TEXAS INSTRUMENTS

MOSFET, N CHANNEL, 30V, 60A, 0.0051OHM, SON-8

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 7.3 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 600 mV

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

NEXPERIA

单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 280 mW, -100 mA, 420 hFE

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 电阻比率

VISHAY

MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0127OHM, -19.2A, SOIC-8

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, TO-220F

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率

NEXPERIA

单晶体管 双极, NPN, 15 V, 500 MHz, 200 mW, 200 mA, 20 hFE

VISHAY

MOSFET, P CHANNEL, -12V, -8.2A, TSSOP-8

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 15A, TO-220F

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0095 ohm, 10 V, 3 V