INFINEON

单晶体管, IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

NEXPERIA

单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 1.35 W, 6 A, 40 hFE

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.054 ohm, 10 V, 4 V

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB

ROHM

单晶体管 双极, PNP, -50 V, 140 MHz, 150 mW, -150 mA, 120 hFE

ROHM

单晶体管 双极, PNP, -30 V, 320 MHz, 200 mW, -1 A, 270 hFE

ROHM

单晶体管 双极, PNP, -12 V, 280 MHz, 500 mW, -3 A, 270 hFE

ROHM

单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 200 MHz, 200 mW, 300 mA, 10000 hFE

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

STMICROELECTRONICS

单晶体管, IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V

ROHM

单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 6.2 W, -200 mA, 100 hFE

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm

INFINEON

场效应管, MOSFET

NEXPERIA

单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -100 V, 116 MHz, 1.3 W, -6 A, 10 hFE

INFINEON

场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7W, 6-TSOP

NEXPERIA

单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 200 hFE

ROHM

单晶体管 双极, PNP, -32 V, 200 MHz, 200 mW, -800 mA, 120 hFE

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY

场效应管, P通道, MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK

TOSHIBA

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V