ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

ROHM

双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363

ROHM

双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88

ROHM

双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-353

ROHM

双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363

ROHM

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.13 ohm, 4.5 V, 1 V

ROHM

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 30 V, 240 mohm, 4.5 V, 1.5 V

BROADCOM LIMITED

晶体管, 射频FET, 5 V, 50 mA, 250 mW, 500 MHz, 26.5 GHz, 0402 [公制 1005]

BROADCOM LIMITED

晶体管, 射频FET, 5 V, 50 mA, 250 mW, 500 MHz, 26.5 GHz, 0402 [公制 1005]

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V

ON SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

VISHAY

单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 100 V, 6.5 mohm, 10 V

VISHAY

单晶体管, IGBT, 84 A, 3.22 V, 431 W, 1.2 kV, SOT-227, 4 引脚

VISHAY

单晶体管, IGBT, 84 A, 3.22 V, 431 W, 1.2 kV, SOT-227, 4 引脚

VISHAY

单晶体管, IGBT, 111 A, 2.23 V, 447 W, 600 V, SOT-227, 4 引脚

VISHAY

单晶体管, IGBT, 258 A, 1.73 V, 893 W, 1.2 kV, SOT-227, 4 引脚

ON SEMICONDUCTOR

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.7 kV, 8.2 ohm, 10 V, 4 V

DIODES INC.

双极晶体管阵列, 双路补偿高增益, NPN, PNP, 40 V, 2.75 W, 2 A, 500 hFE, SOT-223

DIODES INC.

单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 240 MHz, 1 W, 2 A, 200 hFE