产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：漏源电压, Vds 30V,
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00065 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9.5A, SOIC-8
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.5 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 800 mV
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.9 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 18 mohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 30 V, 0.053 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 30 V, 0.053 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.1A, TSSOP-8, 整卷
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25 A, 30 V, 0.0076 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.4 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管阵列, MOSFET, 双N沟道
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
