产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：漏源电压, Vds -60V,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -190 mA, -60 V, 4 ohm, -4.5 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -60 V, 4 ohm, -4.5 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 6 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 50A, TO-252
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 8.8 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5A, SOIC
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.7A, POWERPAK
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 185mA, TO-236
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 4.7A, SOIC
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SC-89-6
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 19A, TO-252
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SOT-416-3
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P通道, -60V, -500MA, SC-89, 整卷
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, 双P沟道
(EN)
