产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：DIODES INC.,规格：汽车质量标准 AEC-Q101,
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -1 V
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 260 mA, 30 V, 2.8 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 870 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 1.33 A, 20 V, 0.3 ohm, 5 V, 900 mV
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 260 mA, 30 V, 2.8 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双P沟道, -2 A, -20 V, 0.15 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双路N和P通道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 280 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双P沟道, -1.03 A, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 13 V, 1 W, PowerDI 123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 500 mA, 60 V, 1.3 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)DIODES INC.
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 1.03 A, 20 V, 0.3 ohm, 5 V, 900 mV
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -26 A, -60 V, 0.036 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 40 V, 0.015 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
