产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：DIODES INC.,规格：电压 @ Rds测量 10V,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.4 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 30 V, 24 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.7 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 900 V, 5.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 950 V, 5.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.4 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 60 V, 105 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 60 V, 105 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 半桥接, N和P沟道, 3.98 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 半桥接, N和P沟道, 1.8 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.2 A, 60 V, 180 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
