产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：ROHM,规格：工作温度最高值 175°C,
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 1.2 kV, 0.45 ohm, 18 V, 4 V
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 4 V
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 4 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
(EN)
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-34, 2 引脚, 175 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, DO-34, 2 引脚, 175 °C
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
(EN)
