产品分类：半导体 - 分立器件,规格：功耗 Pd 1kW,
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 280 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, Q3-Class, N沟道, 24 A, 1 kV, 0.44 ohm, 10 V, 6.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
