产品分类：半导体 - 分立器件,规格：集电极发射电压, Vceo 600V,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 高电压, NPN, 600 V, 11 MHz, 50 W, 2 A, 15 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, 高电压, NPN, 600V, DPAK
(EN)
POWEREX
晶体管, IGBT模块, 600W, Vceo:600V, 200A, 600V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT, 单路, 1.55V, 32A, TO-247AD
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT, 200A
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.6 V, 500 W, 600 V, ISOTOP
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT, 单路, 1.65V, 47A, TO-247AD
(EN)
VISHAY
绝缘金属物质功率模块
(EN)
VISHAY
绝缘金属物质功率模块
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227
(EN)
POWEREX
晶体管模块, IGBT, 200A
(EN)
POWEREX
晶体管, IGBT模块, 600V, 50A, DIP
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 6x NPN, 30 A, 1.9 V, 73 W, 600 V, SIP
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, HEXFRED, N沟道, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 1.55 V, 65 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 275 W, 600 V, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 27 A, 1.55 V, 94 W, 600 V, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.45 V, 660 W, 600 V, Module
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.55 V, 71.5 W, 600 V, Module
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 600 V, 650 mW, 500 mA, 70 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 600 V, 650 mW, 100 mA, 70 hFE
(EN)
