产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：DIODES INC.,规格：晶体管封装类型 SOT-363,
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, PNP, 45 V, 300 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, PNP, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -130 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -1.6 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 260 mA, 30 V, 2.8 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 845 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 180 mA, 60 V, 6 ohm, 10 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, PNP, 45 V, 300 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -130 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -1.6 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 500 mV
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, PNP, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
