产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,规格：晶体管极性 N沟道,
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 650 V, 0.52 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 650 V, 0.755 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.313 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.45 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.117 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
单晶体管 双极, N沟道, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT, 200A
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.6 V, 500 W, 600 V, ISOTOP
(EN)
VISHAY
绝缘金属物质功率模块
(EN)
VISHAY
绝缘金属物质功率模块
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, HEXFRED, N沟道, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 100 V, 6.5 mohm, 10 V
(EN)
