产品分类：半导体 - 分立器件,搜索词：1206,
BOURNS
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.9 A, 20 V, 0.058 ohm, 4.5 V, 600 mV
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 高速开关, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 25W, D-PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)
VISHAY
MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 0.03OHM, 4A, 1206-8
(EN)
BOURNS
二极管, 超快恢复型, 150mA, 100V, 1206, 整卷
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 6.1A
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 6A, 1206
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 9.5A
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 6A, 1206, 整卷
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 6A, 1206, 整卷
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.1 A, 20 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.12 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.12 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 高速开关, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
(EN)
