产品分类：半导体 - 分立器件,搜索词：2061,
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 0.096 ohm, -10 V, -1 V
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 11 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 3.3 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
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单晶体管 双极, PNP, -100 V, 200 MHz, 625 mW, -1 A, 300 hFE
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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5.4 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
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快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.3 V, 25 ns, 30 A
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 28 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单晶体管 双极, PNP, -400 V, 50 MHz, 1 W, -200 mA, 100 hFE
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快速/超快二极管, 单, 50 V, 2 A, 920 mV, 25 ns, 50 A
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快速/超快二极管, 单, 200 V, 3 A, 950 mV, 25 ns, 100 A
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晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -1 V
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单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 1 W, 225 mA, 100 hFE
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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -1.7 A, -60 V, 0.39 ohm, -10 V, -1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV
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双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.7 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV
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单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 100 hFE
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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, 1.7 V
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 500 mW, 1 A, 300 hFE
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单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 1 W, 500 mA, 40 hFE
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单晶体管 双极, PNP, -40 V, 300 mW, -600 mA, 100 hFE
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单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V
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