产品分类：半导体 - 分立器件,搜索词：2061,
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 10 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 11 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 16 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 18 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 20 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 24 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, MMSZ52系列, 28 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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标准恢复二极管, 单, 40 V, 1 A, 520 mV, 20 A
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 60 mA, 200 V, 25 ohm, 10 V, 1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV
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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -35 mA, -200 V, 80 ohm, -10 V, -1.5 V
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双路场效应管, MOSFET, 半桥接, N和P沟道, 3.98 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -2.6 A, -100 V, 0.15 ohm, -10 V, -2 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5.4 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
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晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -1.7 A, -60 V, 0.39 ohm, -10 V, -1 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 0.096 ohm, -10 V, -1 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -1 V
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