产品分类：半导体 - 分立器件,搜索词：236,
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
WOLFSPEED
Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Single, 600 V, 6 A, 8.5 nC, TO-220-F2
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 19.7 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.003 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 8 A, 1.65 V, 70 W, 650 V, TO-220, 3 引脚
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 15 A, 1.65 V, 33.3 W, 650 V, TO-220, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 15 A, 1.6 V, 33.3 W, 650 V, TO-220, 3 引脚
(EN)INFINEON
标准功率二极管, 单, 650 V, 40 A, 1.6 V, 36 ns, 250 A
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)INFINEON
标准功率二极管, 单, 650 V, 15 A, 1.6 V, 30 ns, 100 A
(EN)WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 3.2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 90A, TO-263-3
(EN)
GENESIC SEMICONDUCTOR
肖特基二极管, 300mA, 3.3KV, DO-214AA
(EN)INFINEON
快速/超快功率二极管, 单, 650 V, 40 A, 1.35 V, 77 ns, 320 A
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 190 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
INFINEON
标准功率二极管, 单, 650 V, 15 A, 1.6 V, 30 ns, 100 A
(EN)INFINEON
标准功率二极管, 单, 650 V, 15 A, 1.35 V, 71 ns, 120 A
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 引脚
(EN)
