产品分类：半导体 - 分立器件,搜索词：2420,
VISHAY
小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 150 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
(EN)
BOURNS
晶闸管, -170 V, 5 mA, -5 μA, SOIC, 8 引脚
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)BOURNS
晶闸管, 120 V, -5 mA, 5 μA, SOIC, 8 引脚
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IPM, IGBT, 15A, 2.5KV, SIP 2
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 150 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
