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二极管 小信号, 双共阴极, 100 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

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晶体管, MOSFET, 沟, P沟道, -1.2 A, -20 V, 0.17 ohm, -4.5 V, -700 mV

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晶体管, MOSFET, 沟, N沟道, 265 mA, 60 V, 2.1 ohm, 10 V, 1 V

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晶体管, MOSFET, D-MOS, P沟道, -210 mA, -300 V, 17 ohm, -10 V, -2.8 V

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二极管 小信号, AEC-Q101, 双隔离, 60 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 9 A

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双路场效应管, MOSFET, Trench, 双N沟道, 320 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.1 V

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二极管 小信号, 四共阳极, 90 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

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晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

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晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率

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双路场效应管, MOSFET, 沟槽式, N和P沟道, 330 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
