产品分类：半导体 - 分立器件,品牌：VISHAY,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV
(EN)
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.45 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 80 V, 0.0112 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
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单管二极管 齐纳, 180 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
标准恢复二极管, 单, 200 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 μs, 40 A
(EN)
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晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 60 V, 17500 μohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
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场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 50A, TO-252
(EN)
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快速/超快二极管, 单, 200 V, 8 A, 970 mV, 27 ns, 140 A
(EN)
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晶体管, N沟道
(EN)
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标准二极管, 6A, 400V, P600
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
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快速/超快二极管, AEC-Q101, 双共阴极, 200 V, 8 A, 950 mV, 25 ns, 130 A
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00048 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
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快速/超快二极管, AEC-Q101, 单, 1 kV, 1 A, 2.5 V, 75 ns, 30 A
(EN)
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.117 ohm, 10 V, 4 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, 8.8 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
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场效应管, MOSFET, P通道, -20V, -350MA, SOT-416-3
(EN)
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单管二极管 齐纳, 10 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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VISHAY
二极管, 标准, 6A, 400V, P600
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VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 2 A, 通孔安装, 1 V, 4 引脚
(EN)
