INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 20 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 1n47xx系列, 4.7 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

单管二极管 齐纳, 1N47系列, 4.7 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

NEXPERIA

小信号肖特基二极管, 双系列, 15 V, 30 mA, 700 mV, 125 °C

ON SEMICONDUCTOR

晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, 60 hFE

ON SEMICONDUCTOR

晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, 60 hFE

NEXPERIA

开关二极管, 30V, SOT-323

DIODES INC.

二极管 小信号, 双隔离, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A

NEXPERIA

晶体管 双极-射频, NPN, 60 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 450 hFE

MULTICOMP

齐纳二极管, 36V, 200mW, SOD-323

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-123, 2 引脚

ROHM

单管二极管 齐纳, 7.5 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

ROHM

单管二极管 齐纳, 8.2 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, NPN, PNP, -50 V, 390 MHz, 1.2 W, -3 A, 200 hFE

TEXAS INSTRUMENTS

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV

DIODES INC.

单管二极管 齐纳, 精准, 15 V, 200 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C

MULTICOMP

齐纳二极管, 500mW, 27V, SOD-123

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.0205 ohm, 10 V, 2 V

DIODES INC.

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -1 V

DIODES INC.

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V

ROHM

晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

单管二极管 齐纳, 6.2 V, 1 W, SOD-123F, 5 %, 2 引脚, 85 °C