产品分类：半导体 - 分立器件,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 700 mW, -1 A, 220 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 110 MHz, 25 W, -3 A, 35 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 1N47系列, 3.6 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 34.95 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NXP
晶体管, PNP, -60V, -3A, SOT-669-5
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 16V, 350mW, SOT-23
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
小信号肖特基二极管, 双隔离, 40 V, 75 mA, 600 mV, 225 mA, 125 °C
(EN)
NXP
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 12 hFE
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 62 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 30V, 500mW, SOD-123
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0085 ohm, 10 V, 1.64 V
(EN)
RENESAS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 12 ohm, 15 V, 4 V
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 39 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 140 MHz, 2 W, -2 A, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 185 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
(EN)
VISHAY SILICONIX
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, KSE, NPN, 300 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -200 V, 0.145 ohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
标准功率二极管, 1.2 kV, 40 A, 单, 1.45 V, 475 A
(EN)
