产品分类：半导体 - 分立器件,
NXP
晶体管, 射频FET, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
(EN)
STMICROELECTRONICS
三端双向可控硅, 600 V, 35 mA, 1 W, 1.5 V, TO-220AB, 80 A
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 100 mA, 420 mV, 1 A, 125 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, JFET, JFET, -25 V, 4 mA, 10 mA, -4 V, SOT-23, RF JFET
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 429 A, 24 V, 800 μohm, 10 V, 2 V
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 80 W, 12 A, 1000 hFE
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 500mW, 15V, MINIMELF
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶闸管, 1600 V, 100 mA, 41 A, 90 A, SOT-227B, 4 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, SOT-89, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
快速/超快二极管, 单, 200 V, 3 A, 950 mV, 25 ns, 100 A
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 22 V, 1 W, DO-214AC, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 50 W, 2 A, 500 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 3 MHz, 40 W, -3 A, 10 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 15 hFE
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 8 A, 975 mV, 25 ns, 100 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 9.1 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 350 mA, SOIC
(EN)
