产品分类：半导体 - 分立器件,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 19.7 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 165 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-143B
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 3 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 200 V, 16 A, 双共阴极, 975 mV, 35 ns, 100 A
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 20 ns, 50 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.25 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
齐纳二极管
(EN)
INFINEON
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 双共阴极, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-252
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 1.2 kV, 60 A, 单, 1 V, 950 A
(EN)
SOLID STATE
单管二极管 齐纳, 30 V, 10 W, DO-4, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 400 V, 2 A, 单, 1.3 V, 35 ns, 50 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 13.7A, SOIC
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 510 mA, 810 mV, 4.2 A, 125 °C
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 200 MHz, 600 mW, 200 mA, 120 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 11 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
