产品分类：半导体 - 分立器件,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 双系列, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 小信号, 单, 200 mA, 1 V, 4 A
(EN)
INFINEON
智能功率模块 (IPM), IGBT, 600 V, 6 A, 2 kV, DIP, CIPOS
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, 1000 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.48 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
三端双向可控硅, 800 V, TO-252, 80 A
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 15 A, 2.1 V, 51 ns, 120 A
(EN)NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 双系列, 4 V, 30 mA, 600 mV, 100 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.8 A, -20 V, 0.019 ohm, -5 V, -500 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
INFINEON
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
LITTELFUSE
三端双向可控硅, 600 V, 25 A, TO-3, 50 mA, 1.3 V, 20 W
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 6 A, 1.8 V, 40 ns, 90 A
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 20 V, 40 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 三独立式, 15 V, 30 mA, 700 mV, 125 °C
(EN)
LITTELFUSE
晶闸管, 400 V, 30 mA, 7.5 A, 12 A, TO-220AB, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
INFINEON
智能功率模块 (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2 kV, DIP, CIPOS
(EN)
