产品分类：半导体 - 分立器件,
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 2.4 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 50 V, 1 A, 单, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, 20 V, 2.6 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0043 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 400 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 240A, TO-263-7
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
VISHAY
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 40 V, 30 A, 550 mV, 275 A, 125 °C
(EN)
SEMIKRON
二极管模块, 1.6 kV, 195 A, 1.5 V, 双路串联, SKKD Series
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 1.5 A, 单, 1 V, 50 A
(EN)
NTE ELECTRONICS
齐纳二极管, 5W, 24V, DO-204AE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 580 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 16 A, 1.7 V, 77 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚
(EN)
VISHAY
整流器, 桥接, 单相, 4A, 400V, 通孔安装
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, AEC-Q101, 单, 600 V, 6 A, 1.8 V, 40 ns, 90 A
(EN)
NTE ELECTRONICS
齐纳二极管, 12V 5W
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 800 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 55 V, 0.0026 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
