产品分类：半导体 - 分立器件,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 68.5 A, 700 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 650 mV
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 双共阴极, TO-252, 3 引脚, 550 mV
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 40 V, 200 mA, 单, SOD-323FL, 2 引脚, 610 mV
(EN)ROHM
快速/超快功率二极管, 600 V, 5 A, 单, 1.7 V, 30 ns, 50 A
(EN)
ROHM
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 2 A, 6 nC, TO-220ACP
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)
VISHAY
二极管模块, 400 V, 16 A, 1.23 V, VS-16 Series
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 9.1 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
桥式整流器
(EN)INFINEON
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 5G 650V Series, Single, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
MOSFET, N-CH, 75V, 59A, TO-220AB-3
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 40A
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 25A, 600V, GSIB-5
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4.4 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 125 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 420 hFE
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
(EN)
