产品分类：半导体 - 分立器件,
VISHAY
标准功率二极管, 单, 800 V, 8 A, 1.4 V, 200 A
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 6 A, 通孔安装, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 10 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
CRYDOM
二极管模块, 单路, 240V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 100 V, 3 A, 单, 1.3 V, 150 ns, 125 A
(EN)
SOLID STATE
单管二极管 齐纳, 36 V, 10 W, DO-4, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 800 V, 1.5 A, 单, 1 V, 50 A
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 350 V, 5 MHz, 80 W, 5 A, 75 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 15 A, 2.2 V, 110 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 6x NPN, 30 A, 1.9 V, 73 W, 600 V, SIP
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 90 A, 1.7 V, 325 W, 650 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 6.3 A, 1.95 V, 35 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 104A, D2-PAK
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 4 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 120 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, TO-220
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
(EN)
