
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 40 hFE

SOLID STATE
标准二极管, 85A, 1.6KV, DO-5

NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

NXP
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ,

VISHAY
单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C

NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 11 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C

NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 350mW, 15V, SOT-23

VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

WOLFSPEED
Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 1200V Series, Dual Common Cathode, 1.2 kV, 88 A, 155 nC

BOURNS
二极管, 超快恢复型, 150mA, 100V, 1206, 整卷

POWEREX
晶体管, IGBT模块, 1600W, Vceo:600V, 400A, 600V

IXYS SEMICONDUCTOR
二极管模块, 螺钉, 1.2 kV, 110 A, 1.17 V, 单路, DS75 Series

IXYS SEMICONDUCTOR
二极管模块, FRED, 1 kV, 30 A, 2.4 V, 双路隔离, DSEI Series

IXYS SEMICONDUCTOR
二极管模块, 400 V, 100 A, 1.95 V, 双路隔离, HiPerFRED Series

INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 130 A, 3.2 V, 660 W, 1.2 kV, Module

INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module

INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module

INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 600 V, Module

INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 1.7 kV, Module

INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module

FUJI ELECTRIC
单晶体管, IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚