产品分类：半导体 - 分立器件,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 250 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 90 hFE
(EN)
WEEN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 双共阴极, 600 V, 20 A, 2.1 V, 35 ns, 132 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 36 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 51 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 500 mW, SOD-123, 7 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 13 V, 400 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 10 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 18 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管模块, 外延二极管(HiPerFRED), 1.2 kV, 30 A, 1.78 V, 1对共阴极, DSEC6 Series
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 10.1 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 365 A, 1.55 V, 940 W, 650 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 580 A, 1.7 V, 2 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 55 A, 2.3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPIM
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 180A, TO-220AB
(EN)
