产品分类：半导体 - 分立器件,
VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, QuadroMELF, 1.8 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, DO-204AH, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 2.1 V, 55 ns, 60 A
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 3.1 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, -1 V
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 13 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道 通道, 80V, 39A, DPAK, 整卷
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管, 1A 20V DO-214AC, 整卷
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号二极管 100V, 200mA, DO-35, 整卷
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -60 V, 0.082 ohm, -10 V, -1.6 V
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 100 V, 2 A, 900 mV, 35 ns, 50 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流二极管, 2A, 30V, SOD-123FL
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 10V, SOD-123, 整卷
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
二极管, 标准恢复, 1A, 1KV, DO-214AC, 整卷
(EN)
MULTICOMP
双极晶体管
(EN)
