产品分类：半导体 - 分立器件,
ON SEMICONDUCTOR
达林顿晶体管, PNP, -80V, TO-225
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0038OHM, 18A, SOIC-8
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 45 V, 7.5 A, TO-220AC, 2 引脚, 840 mV
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 60A, 0.0051OHM, SON-8
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 7.3 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 600 mV
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 280 mW, -100 mA, 420 hFE
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 电阻比率
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 800 V, 1 A, 单, 1.1 V, 1.5 μs, 40 A
(EN)VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0127OHM, -19.2A, SOIC-8
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, TO-220F
(EN)
