产品分类：半导体 - 分立器件,
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
ROHM
快速/超快功率二极管, 600 V, 20 A, 单, 2.8 V, 35 ns, 100 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 900 mW, 500 mA, 250 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 A, 510 mV, 250 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8A, SOIC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, N沟道, 30 A, 40 V, 0.0076 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
(EN)
VISHAY
标准恢复功率整流器
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, AEC-Q101, 单, 200 V, 3 A, 1.6 V, 140 ns, 50 A
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN+PNP, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 18 V, 3 W, DO-15, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 55 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 120 V, 40 A, TO-263AC, 3 引脚, 890 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 16 A, 3 V, 30 ns, 190 A
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 80 V, 40 A, 920 mV, 200 A, 175 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
MULTICOMP
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 45 V, 15 A, 720 mV, 150 A, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 200 mW, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 50 V, 3 A, 单, 950 mV, 35 ns, 100 A
(EN)MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 20 V, 3 W, DO-15, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
