产品分类：半导体 - 分立器件,
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 27 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 33 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 400 V, 1.5 A, 单, 1.04 V, 50 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 单, 800 V, 4 A, 1.85 V, 75 ns, 70 A
(EN)
MULTICOMP
二极管, TVS, 28A, 21.2V, 双向
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 2 A, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 60 MHz, 550 mW, 5 A, 250 hFE
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 100 kohm, 100 kohm
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 5.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 250 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 250 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 250 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 5.6A, POWERPAK 1212, 整卷
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 10.3A, SOIC-8, 整卷
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 1.5W, 6.2V, DO-214AC, 整卷
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 250 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流二极管, 500MA, 40V, SOD-123, 整卷
(EN)
STMICROELECTRONICS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 共阴极 400A TO-244
(EN)
