产品分类：半导体 - 分立器件,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE, SC-70
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 24 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 25 V, 0.249 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
VISHAY
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 350 mA, 600 mV, 2 A, 125 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 250 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 18 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 雪崩, 单, 1 kV, 1 A, 1.85 V, 75 ns, 25 A
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -4A, SOT-363-6
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.3 V, 250 ns, 30 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 40 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 550 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 920 mV, 25 ns, 30 A
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 60 V, 1 A, SOD-323F, 2 引脚, 660 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.04 V, 2 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 45 V, 2 A, SOD-123, 2 引脚, 630 mV
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
